ИЗОБРЕТЕНИЕ
Патент Российской Федерации RU2020798

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ОВОЩНЫХ КУЛЬТУР

Имя изобретателя: Панфилов Александр Александрович 
Имя патентообладателя: Панфилов Александр Александрович
Адрес для переписки: 
Дата начала действия патента: 1991.07.01 

Использование: сельское хозяйство, в частности при выращивании овощных культур. Сущность: выращивание овощных культур осуществляют путем высадки рассады в культивационный сосуд и размещения его таким образом, чтобы стебли были направлены вниз, а на верхнюю свободную поверхность субстрата высаживают уплотняющую культуру. Для поддержания стеблей, направленных вниз, устанавливают поддон.

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Изобретение относится к овощеводству.

Известен способ выращивания огурца (и других стеблеплодных), включающий в себя получение всходов из семян, выращивание рассады с последующей высадкой ее на постоянное место в грунт.

Недостатками известного способа являются: трудоемкая агротехника выращивания и сбора, а также низкий сбор урожая.

Цель изобретения - увеличение сбора урожая, упрощение агротехники выращивания и улучшение условий труда.

Цель достигается тем, что рассаду (рассадные горшочки) огурца высаживают в тару (например, ящик), и устанавливают на стойки таким образом, что стебли рассады направлены вниз, поддерживаемые поддоном, установленного ниже тары со свободным перемещением вдоль стоек. Кроме того, открытую часть грунта используют для выращивания сочетающихся культур.

На фиг. 1 показано устройство, реализующее этот способ; на фиг. 2 - сечение А-А на фиг. 1.

Для осуществления выращивания предлагаемым способом необходимо иметь тару 5 с пленкой 8 и решеткой 9, поддон 4, стойки 2 с кронштейнами 3, рассаду 1 и грунт (почвенную смесь) 6, сочетающие культуры 7.

Технология выращивания предлагаемым способом следующая. В момент проращивания рассады 1 выполняют подготовительные операции, на заранее выбранном месте устанавливают стойки 2 и закрепляют на них кронштейны (опоры) 3. Ниже кронштейнов свободно крепят поддон 4. В назначенный день в готовую тару 5, имеющую трапецеидальную форму насыпают грунт (почвенную смесь) 6, при этом широкая часть тары накрыта временной крышкой. В грунт высаживают рассаду, всю щель тары накрывают пленкой 8, пропустив в ее прорези стебли рассады, и сверху устанавливают решетчатую крышку 9, жестко крепя ее к таре. Переносят тару и устанавливают ее на кронштейны. При этом стебли рассады направлены вниз. Регулируя положение по высоте, поддон устанавливают его на уровне касания стеблей. Снимают временную (технологическую) крышку с тары и в открытый грунт высаживают сочетающиеся культуры 7.

Все овощные культуры, образующие плоды на стеблях, можно назвать одним словом - стеблеплодные.

При известном способе выращивания процессы в стеблеплодных идут снизу вверх, тем самым затрачивается энергия на преодоление тяжести питательного вещества, движущуюся по стеблям к плодам. В предложенном способе рабочие процессы подачи питательных веществ идут сверху вниз, тем самым не затрачивается энергия на преодоление их тяжести, что благоприятно сказывается на их росте и качестве. Кроме того, при этом способе мала вероятность поражения растений вредителями, проще агротехника выращивания и лучше условия труда овощевода. При таком способе возможно многоярусное (стеллажное) выращивание овощей.

Следовательно, наличие таких факторов, как сбор нескольких урожаев за счет смешанных посевов на принципе контактной схемы, а также дополнительное использование в рабочем процессе энергии тяжести питательного вещества являются "Существенным отличием" предложенного способа выращивания от известного.

ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ

1. СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ОВОЩНЫХ КУЛЬТУР, включающий высадку рассады в культивационный сосуд на субстрат и уход, отличающийся тем, что после высадки рассады культивационный сосуд устанавливают так, чтобы стебли были направлены вниз, а на свободную верхнюю поверхность субстрата высаживают уплотняющую культуру.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что для поддержания стеблей, направленных вниз, устанавливают поддон.

Версия для печати
Дата публикации 08.03.2007гг

вверх